Среди технологических приемов изготовления тонких пленок наибольшее распространение получили метод термического испарения металлов, метод катодного распыления и метод химического осаждения. Метод испарения твердых тел в вакууме позволяет непосредственно использовать физические свойства различных материалов при получении законченных функциональных электронных схем и модулей. Метод катодного распыления основан на использовании разрушения отрицательного электрода в газовом разряде под действием ударов положительных ионов. Метод химического осаждения по технологии аналогичен гальвностегии или гальванопластике.
Вас интересует мойка и очистка деталей? Переходите на наш сайт и читайте об этом.
В основе технологии изготовления твердых схем лежат наиболее рациональные методы, используемые при изготовлении полупроводниковых приборов. Главная трудность состоит в необходимости воспроизведения характеристики различных элементов радиоэлектронной схемы на одной и той же пластине. В процессе производства твердых схем обычно выполняется многократное окисление, нанесение фоторезистивного слоя и локальные операции травления и диффузии.
Окисление поверхности выполняется при высокой температуре (1000-1200° С) чаще всего в атмосфере влажного кислорода. На качество оксидной пленки сильно влияет чистота рабочего объема, в котором осуществляется процесс. С помощью диффузии достигается изменение состава твердого тела, чем и решается вопрос искусственного получения локальных эквивалентов различных компонентов микроминиатюрной электронной схемы. Применение новой технологии позволит перейти к новым надежным схемам самонастраивающихся систем и сделать применение их особенно желательным при управлении объектами, движение которых происходит в среде с резко изменяющимися свойствами.
Всего на сайте опубликовано 9082 материалов.
Посетители оставили 0 комментариев.
В среднем по 0 комментария на материал.
Вы должны войти, чтобы оставить комментарий Войти