Энергетические уровни электронов

Рубрика: Основная |

Валентное состояние парамагнитных ионов и, наконец, влияние дефектов структуры в виде примесей, вакансий и т. п. на электрические свойства окисных соединений. Методами инфракрасной и ядерной спектроскопии исследуется природа химической связи и химического строения этих же веществ.

Особое внимание уделяется исследованиям окислов, силикатов и алюминатов редкоземельных элементов. Методами дифференциального, термического, кристаллооптического, инфракрасного, ионизационного и других современных методов исследования детально изучены и построены диаграммы состояния, образуемые окислами редкоземельных элементов с кремнеземом. Исследованы взаимные твердые растворы, возникающие между изоструктурными силикатами редкоземельных элементов, синтезированы очень многие, ранее совершенно неизвестные силикаты трех- и двухвалентных элементов группы лантаноидов. Эти силикаты получены во многих случаях в форме монокристаллов как из чистых окислов, так и со многими добавками, позволяющими возбуждать стимулированное излучение в этих кристаллах. В настоящее время производится детальное изучение их электронных спектров методами парамагнитного резонанса и тонкой кристаллической структуры прямыми методами рентгено-структурного анализа.

Вы хотите купить обратный осмос? Переходите на наш сайт и читайте об этом более подробно.

В настоящее время в специальной аппаратуре, созданной в Институте химии силикатов, проводятся рентгенографические исследования полиморфизма редкоземельных и других тугоплавких окислов, а также полиморфизма кремнезема при очень высоких температурах — порядка 2700°. Кроме того, производятся термохимические исследования соответствующих систем. Особенно большое значение уделяется развитию метода кристаллохимических индикаторов для определения структурных характеристик (валентность, координационное число) и физико-химических (химическая связь, изменение энергетического состояния решетки) примесных ионов в структурах кислородных соединений.

Вы должны войти, чтобы оставить комментарий Войти