Теория дислокационного роста

Рубрика: Основная |

Получение тугоплавких веществ с необычно высокими прочностными характеристиками особенно успешно реализуется посредством получения нитевидных кристаллов или так называемых вискерсов, в которых снижение содержания структурных дефектов приводит к получению прочностных характеристик, приближающихся к вычисленным для идеального кристалла. На монокристаллах успешно исследуются вопросы, связанные с локализацией положения примесных атомов, определяющих возможность возбуждения люминесценции и других видов стимулированных излучений, особых случаев проводимости электрического тока, специальных магнитооптических свойств. Монокристаллы позволяют изучать самые тонкие детали строения, необходимые для решения многих теоретических вопросов физики твердого тела.

Монокристаллы необходимы для фундаментальных теоретических разработок: исследования тонких структур тугоплавких кристаллических веществ, решения вопросов, связанных с корреляцией физических и химических свойств материалов и электронным и кристаллическим строением их фазовых составляющих.

Вас интересует рыбалка в Алматы? Переходите на наш сайт и читайте об этом более подробно.

Все это необходимо для разработки теории направленного синтеза, выбора оптимальных режимов получения, подбора минерализаторов и других ускорителей процессов создания материалов с заданными свойствами.

Особенно важными в Институте химии силикатов являются работы по исследованию квантово-электронных гипотез о высокотемпературных окислах и образуемых ими более сложных химических соединениях типа силикатов, алюминатов, алюмосиликатов, германосиликатов и ряда их кристаллохпмических аналогов.

Особое внимание в этом отношении уделяется исследованиям энергетических уровней электронов редкоземельных элементов и элементов с незаполненными d-оболочками в различных диамагнитных матрицах. Однако крупнейшее достижение коллектива электрозавода — разработка способов получения твердых сплавов, сначала литых, а затем металлокерамических.

Вы должны войти, чтобы оставить комментарий Войти